Physical and Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor
Abstract
At present, the attention of researchers has turned to non-trivial modes of switching on field-effect and bipolar transistors. It turned out that in the case of creating a variant of a two-current transistor, its properties of sensitivity to deformations are enhanced.
Downloads
References
2. Очилов Л.И., Арабов Ж.О., Ашурова У.Д. Измерение преобразования потенциальной энергии в поступательную и вращательную энергию с помощью колеса максвелла //Вестник науки и образования ( 2020) № 18(96) Часть 2 С 18-21.
3. Очилов Л.И. Технология приготовления фитиля из капиллярно-полых материалов //Молодой ученый, (2016) №12 С 360-362.
4. Кобилов Б.Б., Насырова Н.К. Особенности изучения физики в вузах//Вестник науки и образования ( 2020) № 18(96) Часть 2 С 52-55.
5. Нарзуллаев М.Н., Камолов В.Ш. Использование астрономических знаний в формировании экологической культуры студентов//Вестник науки и образования ( 2020) № 18(96) Часть 2 С 56-59.
6. Очилов Л.И. Исследование некоторых свойств капиллярно-полых материалов//Молодой ученый, (2016) №12 С 362-364.
7. Abdulxaev, OA, Yodgorova, DM, Karimov, AV, Kamanov, BM, va To'raev, AA (2013). Oqimni cheklaydigan rejimda maydon effekti tranzistorining harorat xususiyatlarining xususiyatlari. Muhandislik fizikasi va termofizika jurnali , 86 (1), 248-254.
8. Karimov, A. V., Dzhuraev, D. P., Kuliev, S. M., & Turaev, A. A. (2016). Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 89(2), 514-517.
9. Djuraev, D. R., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., & Turaev, A. A. (2019). The principles of increasing the sensitivity of transistor structures to external influences. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 1(1), 36.
10. Karimov, A. V., Djuraev, D. R., Abdulhaev, O. A., Rahmatov, A. Z., Yodgorova, D. M., & Turaev, A. A. (2016). Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode. International Journal of Engineering Inventions e-ISSN, 2278-7461.
11. Karimov, A. V., Dzhuraev, D. R., Edgorova, D. M., Rahmatov, A. Z., Abdulhaev, O. A., Kamanov, B. M., & Turaev, A. A. (2011). Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore. Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature, (1-2), 90.
12. Каримов, А. В., Джураев, Д. Р., Ёдгорова, Д. М., Рахматов, А. З., Абдулхаев, О. А., Каманов, Б. М., & Тураев, А. А. (2011). Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
13. Rahmatov, A. Z., Abdulkhaev, O. A., Karimov, A. V., & Yodgorova, D. M. (2013). Features of the performance of a transient voltage suppressor in the pulsed mode. Semiconductors, 47(3), 387-391.
14. Тураев, А. А., & Ахтамов, Б. Р. (2017). Основные критерии параметров полевого транзистора для многофункционального датчика. Наука без границ, (6 (11)).
15. Абдулхаев, О. А., Ёдгорова, Д. М., Каримов, А. В., Каманов, Б. М., & Тураев, А. А. (2013). Особенности температурных свойств полевого транзистора в режиме ограничения токов. Инженерно-физический журнал, 86(1), 232-237.
Copyright (c) 2021 Djuraev Davron Rakhmanovich, Turaev Akmal Ataevich, Turaev Ozodjon Gayrat ugli, Rakhimova Sarvinoz Mustafa kizi, Sharopov Farrukh Kobilovich

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.