Physical and Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor

  • Djuraev Davron Rakhmanovich Professor, Doctor of Physical and Mathematical Sciences Physics department, Bukhara State University
  • Turaev Akmal Ataevich Associate Professor, (PhD) Doctor of Physical and Mathematical Sciences Physics department, Bukhara State University
  • Turaev Ozodjon Gayrat ugli Teacher of "Biophysics and TAT" department Bukhara State Medical Institute
  • Rakhimova Sarvinoz Mustafa kizi Master degree student of Bukhara State University
  • Sharopov Farrukh Kobilovich Master degree student of Bukhara State University
Keywords: field-effect and bipolar transistors, non-trivial modes, multifunctional sensor, drain-gate voltage, solar radiation

Abstract

At present, the attention of researchers has turned to non-trivial modes of switching on field-effect and bipolar transistors. It turned out that in the case of creating a variant of a two-current transistor, its properties of sensitivity to deformations are enhanced.

Downloads

Download data is not yet available.

References

1. Файзиев Ш.Ш., Саидов К.С., Аскаров М.А. Зависимость магнитно модулированной структуры от ориентации поля в кристалле. //Вестник науки и образования ( 2020) № 18(96) Часть 2 С 6-9.
2. Очилов Л.И., Арабов Ж.О., Ашурова У.Д. Измерение преобразования потенциальной энергии в поступательную и вращательную энергию с помощью колеса максвелла //Вестник науки и образования ( 2020) № 18(96) Часть 2 С 18-21.
3. Очилов Л.И. Технология приготовления фитиля из капиллярно-полых материалов //Молодой ученый, (2016) №12 С 360-362.
4. Кобилов Б.Б., Насырова Н.К. Особенности изучения физики в вузах//Вестник науки и образования ( 2020) № 18(96) Часть 2 С 52-55.
5. Нарзуллаев М.Н., Камолов В.Ш. Использование астрономических знаний в формировании экологической культуры студентов//Вестник науки и образования ( 2020) № 18(96) Часть 2 С 56-59.
6. Очилов Л.И. Исследование некоторых свойств капиллярно-полых материалов//Молодой ученый, (2016) №12 С 362-364.
7. Abdulxaev, OA, Yodgorova, DM, Karimov, AV, Kamanov, BM, va To'raev, AA (2013). Oqimni cheklaydigan rejimda maydon effekti tranzistorining harorat xususiyatlarining xususiyatlari. Muhandislik fizikasi va termofizika jurnali , 86 (1), 248-254.
8. Karimov, A. V., Dzhuraev, D. P., Kuliev, S. M., & Turaev, A. A. (2016). Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 89(2), 514-517.
9. Djuraev, D. R., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., & Turaev, A. A. (2019). The principles of increasing the sensitivity of transistor structures to external influences. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 1(1), 36.
10. Karimov, A. V., Djuraev, D. R., Abdulhaev, O. A., Rahmatov, A. Z., Yodgorova, D. M., & Turaev, A. A. (2016). Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode. International Journal of Engineering Inventions e-ISSN, 2278-7461.
11. Karimov, A. V., Dzhuraev, D. R., Edgorova, D. M., Rahmatov, A. Z., Abdulhaev, O. A., Kamanov, B. M., & Turaev, A. A. (2011). Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore. Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature, (1-2), 90.
12. Каримов, А. В., Джураев, Д. Р., Ёдгорова, Д. М., Рахматов, А. З., Абдулхаев, О. А., Каманов, Б. М., & Тураев, А. А. (2011). Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
13. Rahmatov, A. Z., Abdulkhaev, O. A., Karimov, A. V., & Yodgorova, D. M. (2013). Features of the performance of a transient voltage suppressor in the pulsed mode. Semiconductors, 47(3), 387-391.
14. Тураев, А. А., & Ахтамов, Б. Р. (2017). Основные критерии параметров полевого транзистора для многофункционального датчика. Наука без границ, (6 (11)).
15. Абдулхаев, О. А., Ёдгорова, Д. М., Каримов, А. В., Каманов, Б. М., & Тураев, А. А. (2013). Особенности температурных свойств полевого транзистора в режиме ограничения токов. Инженерно-физический журнал, 86(1), 232-237.
Published
2021-10-21
How to Cite
Rakhmanovich, D. D., Ataevich, T. A., ugli, T. O. G., kizi, R. S. M., & Kobilovich, S. F. (2021). Physical and Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor. Central Asian Journal of Theoretical and Applied Science, 2(10), 101-106. Retrieved from https://cajotas.centralasianstudies.org/index.php/CAJOTAS/article/view/250
Section
Articles