ВРЕМЕННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРЕТНОГО СОСТОЯНИЯ В ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ Cdte:Ag, Cd, Cu И Sb2Se3:Se
Keywords:
фотоэлектретное состояние, поляризующее поле, полупроводники CdTe, примеси Ag, Cd, Cu, время релаксациии, деполяризация, люкс-амперная и люкс-вольтовая характеристики
Abstract
В работе приведены результаты исследования новой аномальной фотоэлектрической поляризации тонких поликристаллических пленок на основе легированных полупроводниковых соединений CdTe и Sb2Se3. Подробно рассматриваются некоторые особенности временной кинетики фотополяризации пленочных фотоэлектретов «без внешнего поля», анализированы кривые фотополяризации и изопаака поляризации.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Адирович Э.И. Законы электронной поляризации и деполяризации кристаллов. ФТТ, 1961, т. 3, К 7, с. 2048-2050.
2. Фридкин В.М. Физические основы электрофотографического процесса. М.-Л., Энергия, 1966. 288 с.
3. Иванов Ю.Л., Рывкин С.М. Фотоэлектретный эффект в кремнии. ФТТ, 1963. Т.5. В.12. С.3541.
4. Нестеренко П.С. Кинетика образования фотоэлектретного состояния в сульфиде кадмия. ФТТ, 1974. Т.6. В. 6, С.1799.
5. Любин В.М., Фомина В.И. Фотоэлектретное и катодоэлектретное состояние в слоях . ФТТ, 1963. Т.5. В.12, С.3367.
6. Ковальский П.Н. Шнейдер А.Д. «Фотоэлектретный эффект в полупроводниках», Львов, Изд. при Львовском госуниверситете, 1977. 150 с.
7. Pillai C.K., Goel M. Photoelectrets and their Applications. Phys. Stat. Sol. (a) 1971. V. 7. №9. P.9.
8. Адирович Э.А. Фотоэлектретное состояние в полупроводниках с микро p-n-переходами, ФТП, 1970. Т.4. В.4. С. 745.
9. Адирович Э.И., Мастов Э.М., Мирзамахмудов Т., Найманбоев Р., Рубинов., Шакиров Н., Юабов В.М. В сб.: «Фотоэлектрические явления и оптоэлектроника». Изд. «Фан» , Ташкент, 1972. с.143.
10. Базакуца В.А., Кулибаба В.Д. Фотоэлектреты нового типа на основе АФН слоёв . ФТП, 1975. Т.9, В.7, С. 1432.
11. Эргашев Ж.Э., Юлдашев Н.Х. Фотоэлектретный эффект в полупроводниковых плёночных структурах. Фергана, “Фарғона”: 2017. Монография. 180 стр.
12. Sultanov, N A.; Rakhimov, E T.; Mirzajonov, Z; and Yusupov, F T. (2021) "Photoluminescence spectra of silicon doped with cadmium," Scientifc-technical journal: Vol. 4 : Iss. 3 , Article Available at: https://uzjournals.edu.uz/ferpi/vol4/iss3/3.
13. Юлдашев Н. Х. и др. Фотоэлектретные пленки CdTe: Ag и Sb2Se3 при собственном и примесном поглощении света shape* MERGEFORMAT //Евразийский Союз Ученых. – 2019. – №. 3-4 (60).
14. Nurmatov, O.; Rahmonov, T.; Sulaymonov, Kh.; and Yuldashev, N. (2020) "Phototenzoelectric properties of polycrystalline films of chalcogenides of cadmium and zinc, produced by portional evaporation in vacuum," Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering: Vol. 2 : Iss. 5 , Article 10. Available at: https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss5/10
2. Фридкин В.М. Физические основы электрофотографического процесса. М.-Л., Энергия, 1966. 288 с.
3. Иванов Ю.Л., Рывкин С.М. Фотоэлектретный эффект в кремнии. ФТТ, 1963. Т.5. В.12. С.3541.
4. Нестеренко П.С. Кинетика образования фотоэлектретного состояния в сульфиде кадмия. ФТТ, 1974. Т.6. В. 6, С.1799.
5. Любин В.М., Фомина В.И. Фотоэлектретное и катодоэлектретное состояние в слоях . ФТТ, 1963. Т.5. В.12, С.3367.
6. Ковальский П.Н. Шнейдер А.Д. «Фотоэлектретный эффект в полупроводниках», Львов, Изд. при Львовском госуниверситете, 1977. 150 с.
7. Pillai C.K., Goel M. Photoelectrets and their Applications. Phys. Stat. Sol. (a) 1971. V. 7. №9. P.9.
8. Адирович Э.А. Фотоэлектретное состояние в полупроводниках с микро p-n-переходами, ФТП, 1970. Т.4. В.4. С. 745.
9. Адирович Э.И., Мастов Э.М., Мирзамахмудов Т., Найманбоев Р., Рубинов., Шакиров Н., Юабов В.М. В сб.: «Фотоэлектрические явления и оптоэлектроника». Изд. «Фан» , Ташкент, 1972. с.143.
10. Базакуца В.А., Кулибаба В.Д. Фотоэлектреты нового типа на основе АФН слоёв . ФТП, 1975. Т.9, В.7, С. 1432.
11. Эргашев Ж.Э., Юлдашев Н.Х. Фотоэлектретный эффект в полупроводниковых плёночных структурах. Фергана, “Фарғона”: 2017. Монография. 180 стр.
12. Sultanov, N A.; Rakhimov, E T.; Mirzajonov, Z; and Yusupov, F T. (2021) "Photoluminescence spectra of silicon doped with cadmium," Scientifc-technical journal: Vol. 4 : Iss. 3 , Article Available at: https://uzjournals.edu.uz/ferpi/vol4/iss3/3.
13. Юлдашев Н. Х. и др. Фотоэлектретные пленки CdTe: Ag и Sb2Se3 при собственном и примесном поглощении света shape* MERGEFORMAT //Евразийский Союз Ученых. – 2019. – №. 3-4 (60).
14. Nurmatov, O.; Rahmonov, T.; Sulaymonov, Kh.; and Yuldashev, N. (2020) "Phototenzoelectric properties of polycrystalline films of chalcogenides of cadmium and zinc, produced by portional evaporation in vacuum," Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering: Vol. 2 : Iss. 5 , Article 10. Available at: https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss5/10
Published
2021-12-22
How to Cite
Р., Н. О., Ш., А. Ш., & Х., Ю. Н. (2021). ВРЕМЕННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРЕТНОГО СОСТОЯНИЯ В ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ Cdte:Ag, Cd, Cu И Sb2Se3:Se. Central Asian Journal of Theoretical and Applied Science, 2(12), 315-322. Retrieved from https://cajotas.centralasianstudies.org/index.php/CAJOTAS/article/view/354
Section
Articles
Copyright (c) 2021 Нурматов О. Р., Абдуллаев Ш. Ш., Юлдашев Н. Х.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
