СКОПЛЕНИЯ АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ В n-GaAs И ВЛИЯНИЕ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ НА ИХ РАЗМЕРЫ
Keywords:
Скопления, акцептор, донор, водороподобные примеси, пары Френкеля, различные механизмы рассеяния электронов, дефекты, состояний
Abstract
Исследован и обнаружен процесс роста скоплений акцепторных центров n-GaAs при гамма-облучении. Показано, что концентрация водородоподобных доноров при облучении не изменяется. Найдено распределение плотности донорных состояний водороподобных примесей по энергиям. Установлено, что скорость введения акцерторных центров соответствует пороговой энергии образования пары Френкеля 20эВ.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Баграев Н.Т., Витовский Н.А., Власенко Л.С., Машовец Т.В., Рахимов.О. Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского. ФТП,1963, т.17, вып.11, с.1979-1984.
2. Витовский Н.А., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Рахимов.О. Определение заряда квазиточечных скоплений атомов акцепторной примеси в компенсированных кристаллах n-InP. ФТП, 1982, т.16, вып.6, с 1122-1124.
3. Витовский Н.А., Лагунова Т.С., Рахимов.О. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия n-типа со скоплениями акцепторов. ФТП, 1984, т.17, вып.9. с.1624-1628.
4. Витовский Н.А. Метод определения заряда квазиточечных скоплений атомов примесей и дефектов в полупроводниках и функции распределения скоплений по их заряду. ФТП, 1982, т. 5, вып. 5, с. 882-885.
5. Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Наследов Д.Н., Талалакин Г.Н. Образование и свойства примесной зоны в n-GaAs. – ФТТ, 1965,т.7, в.5, с. 1315-1323.
6. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. структура примесной зоны слабо легированных полупроводниках. ФТП, 1980, т. 14, вып.5, с.825-856.
7. Weisberg L.R. – J.Appl. Phes., 1962, v. 33, № 5. p. 1817-1821.
8. Кольченко Е.И., Ломако Б.М. Электрические свойства арсенида галлия, облученного электронами и нейтронами. – ФТП, 1975, т. 9, в. 9 с. 1757-1760.
9. Grimshavw J.A., Banlury P.S. – Proc. Phys. Sol., 1964. V. 84. № 537. p. 115-162/
10. Rakhimov, Z. O., Haitboev, R., Ibadullaev, N. E., & Safarov, B. S. (2018). Tour operating. Study guide. Tashkent:“Science and Technology.
11. Рахимов.О. InP материалидаги акцептор мажмуаларининг гамма кванти таъсирида ҳосил бўладиган нуктавий нуколонлар билан ўзаро таъсири. ПРОБЛЕМЫ АРХИТЕКТУРЫ И СТРОИТЕЛЬСТВА (научно - технический журнал). 2003. № 3,4. с.64-66. SamГАСИ. Самарқанд.
12. Raximov.O. n-InP:cd materialda akseptor atomlari majmualarining xussiy-nuqtaviy nuqsonlar bilan o’zaro ta’siri. ISSN 2091-5446. Научный вестник. 2019-yil, 1-son (165) Aniq va tabiiy fanlar seriyasi matamatika, … , fizika ba boshqalar (Jurnal 1999 yildan chop qilina boshlagan va OAK ro’yxatiga kiritilgan). 2019. СамДУ. Самарканд.
13. Рахимов.О., Эшбеков А.А., Сражев С.Н. Скопление центров донорного типа в р-кремнии, выращенном по методу Чохральского и их взаимодействие с собственными точечными дефектами. ISSN 2091-5446. Научный вестник. 2019-yil, 5-son (117). Aniq va tabiiy fanlar seriyasi matamatika, …, fizika ba boshqalar (Jurnal 1999 yildan chop qilina boshlagan va OAK ro’yxatiga kiritilgan). 2019. СамДУ. Самарканд.
2. Витовский Н.А., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Рахимов.О. Определение заряда квазиточечных скоплений атомов акцепторной примеси в компенсированных кристаллах n-InP. ФТП, 1982, т.16, вып.6, с 1122-1124.
3. Витовский Н.А., Лагунова Т.С., Рахимов.О. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия n-типа со скоплениями акцепторов. ФТП, 1984, т.17, вып.9. с.1624-1628.
4. Витовский Н.А. Метод определения заряда квазиточечных скоплений атомов примесей и дефектов в полупроводниках и функции распределения скоплений по их заряду. ФТП, 1982, т. 5, вып. 5, с. 882-885.
5. Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Наследов Д.Н., Талалакин Г.Н. Образование и свойства примесной зоны в n-GaAs. – ФТТ, 1965,т.7, в.5, с. 1315-1323.
6. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. структура примесной зоны слабо легированных полупроводниках. ФТП, 1980, т. 14, вып.5, с.825-856.
7. Weisberg L.R. – J.Appl. Phes., 1962, v. 33, № 5. p. 1817-1821.
8. Кольченко Е.И., Ломако Б.М. Электрические свойства арсенида галлия, облученного электронами и нейтронами. – ФТП, 1975, т. 9, в. 9 с. 1757-1760.
9. Grimshavw J.A., Banlury P.S. – Proc. Phys. Sol., 1964. V. 84. № 537. p. 115-162/
10. Rakhimov, Z. O., Haitboev, R., Ibadullaev, N. E., & Safarov, B. S. (2018). Tour operating. Study guide. Tashkent:“Science and Technology.
11. Рахимов.О. InP материалидаги акцептор мажмуаларининг гамма кванти таъсирида ҳосил бўладиган нуктавий нуколонлар билан ўзаро таъсири. ПРОБЛЕМЫ АРХИТЕКТУРЫ И СТРОИТЕЛЬСТВА (научно - технический журнал). 2003. № 3,4. с.64-66. SamГАСИ. Самарқанд.
12. Raximov.O. n-InP:cd materialda akseptor atomlari majmualarining xussiy-nuqtaviy nuqsonlar bilan o’zaro ta’siri. ISSN 2091-5446. Научный вестник. 2019-yil, 1-son (165) Aniq va tabiiy fanlar seriyasi matamatika, … , fizika ba boshqalar (Jurnal 1999 yildan chop qilina boshlagan va OAK ro’yxatiga kiritilgan). 2019. СамДУ. Самарканд.
13. Рахимов.О., Эшбеков А.А., Сражев С.Н. Скопление центров донорного типа в р-кремнии, выращенном по методу Чохральского и их взаимодействие с собственными точечными дефектами. ISSN 2091-5446. Научный вестник. 2019-yil, 5-son (117). Aniq va tabiiy fanlar seriyasi matamatika, …, fizika ba boshqalar (Jurnal 1999 yildan chop qilina boshlagan va OAK ro’yxatiga kiritilgan). 2019. СамДУ. Самарканд.
Published
2022-06-02
How to Cite
Оdil Raximov. (2022). СКОПЛЕНИЯ АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ В n-GaAs И ВЛИЯНИЕ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ НА ИХ РАЗМЕРЫ . Central Asian Journal of Theoretical and Applied Science, 3(6), 47-53. Retrieved from https://cajotas.centralasianstudies.org/index.php/CAJOTAS/article/view/598
Section
Articles
